IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 267.93 грн |
| 30+ | 204.27 грн |
| 120+ | 175.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKW30N65H5XKSA1 за ціною від 123.51 грн до 420.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKW30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |