IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns, Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.
Інші пропозиції IKW50N65ES5XKSA1 за ціною від 194.28 грн до 480.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 274W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IKW50N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |