IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 481.35 грн |
| 10+ | 406.91 грн |
| 25+ | 321.12 грн |
| 100+ | 295.08 грн |
| 240+ | 277.06 грн |
| 480+ | 269.72 грн |
| 2640+ | 222.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns, Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 305 W.
Інші пропозиції IKW50N65RH5XKSA1 за ціною від 328.03 грн до 1004.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 305W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004038142 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IKW50N65RH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
товар відсутній |