IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 352.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm.
Інші пропозиції IMBG120R140M1HXTMA1 за ціною від 353.78 грн до 775.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IMBG120R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A |
товар відсутній |