IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2758.02 грн |
10+ | 2422.27 грн |
25+ | 1980.81 грн |
50+ | 1914.71 грн |
100+ | 1848.62 грн |
250+ | 1792.54 грн |
1000+ | 1699.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG65R007M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 789W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMBG65R007M2HXTMA1 за ціною від 1993.55 грн до 2820.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IMBG65R007M2HXTMA1 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IMBG65R007M2HXTMA1 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IMBG65R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V Power Dissipation (Max): 789W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
товар відсутній |