Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ75R040M1HXUMA1
IMDQ75R040M1HXUMA1

IMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMDQ75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae16d7a37e64 Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+690.4 грн
10+ 600.43 грн
25+ 572.48 грн
100+ 466.48 грн
250+ 445.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IMDQ75R040M1HXUMA1 за ціною від 359.18 грн до 739.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMDQ75R040M1H_DataSheet_v02_00_EN-3385500.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+739.94 грн
10+ 624.95 грн
25+ 492.7 грн
100+ 452.64 грн
250+ 426.6 грн
500+ 399.9 грн
750+ 359.18 грн
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae16d7a37e64 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
товар відсутній