IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1221.92 грн |
| 30+ | 952.74 грн |
| 120+ | 896.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R027M1HXKSA1 за ціною від 775.1 грн до 1967.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 184A Gate-source voltage: -5...23V Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 184A Gate-source voltage: -5...23V Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |