IPF010N04NF2SATMA1

IPF010N04NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.56 грн
10+ 192.63 грн
100+ 155.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF010N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R.

Інші пропозиції IPF010N04NF2SATMA1 за ціною від 105.62 грн до 239.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPF010N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083489.pdf MOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.47 грн
10+ 197.85 грн
25+ 162.74 грн
100+ 139.49 грн
250+ 131.52 грн
500+ 124.22 грн
800+ 105.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipf010n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товар відсутній