IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	154.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPF010N06NF2SATMA1 за ціною від 101.62 грн до 296.81 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 800+ 155.22 грн Мінімальне замовлення: 800 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 4+ 158.34 грн 10+  149.48 грн 25+  147.1 грн 100+  134.06 грн 250+  121.56 грн 500+  101.62 грн Мінімальне замовлення: 4 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 800+ 160.33 грн Мінімальне замовлення: 800 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 69+ 170.52 грн 73+  160.98 грн 74+  158.41 грн 100+  144.37 грн 250+  130.91 грн 500+  109.44 грн Мінімальне замовлення: 69 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V	на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 273.05 грн 10+  221.07 грн 100+  178.82 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 296.81 грн 10+  245.97 грн 25+  201.93 грн 100+  172.71 грн 250+  163.41 грн 500+  154.11 грн 800+  131.52 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	товар відсутній	купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R	товар відсутній	купити
	IPF010N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V	товар відсутній	купити