Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF050N10NF2SATMA1
IPF050N10NF2SATMA1

IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPF050N10NF2SATMA1 за ціною від 59.58 грн до 154.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPF050N10NF2SATMA1 IPF050N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a836aa1acd Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.27 грн
10+ 113.55 грн
100+ 90.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 IPF050N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPF050N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3107307.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.22 грн
10+ 126.81 грн
100+ 87.68 грн
250+ 81.04 грн
500+ 73.73 грн
800+ 62.37 грн
2400+ 59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipf050n10nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній