IPF05N03LAG

IPF05N03LAG Infineon Technologies


INFNS12007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 24746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
593+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 593
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF05N03LAG Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-23, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPF05N03LAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPF05N03LA G IPF05N03LA G Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%2905N03LA_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товар відсутній