IPG16N10S461ATMA1

IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.28 грн
10000+ 29.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

Інші пропозиції IPG16N10S461ATMA1 за ціною від 28.18 грн до 156 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.34 грн
500+ 34.91 грн
1000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG16N10S4_61_DataSheet_v01_20_EN-3362532.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.62 грн
10+ 59.04 грн
100+ 42.19 грн
500+ 36.05 грн
1000+ 30.31 грн
2500+ 30.04 грн
5000+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.39 грн
13+ 61.71 грн
100+ 44.34 грн
500+ 34.91 грн
1000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.61 грн
10+ 64.61 грн
100+ 50.22 грн
500+ 39.94 грн
1000+ 32.54 грн
2000+ 30.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 7; Rds = 61 @ 16 А; 10 В мОм; Ugs(th) = 3,5 В; Р, Вт = 29; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156 грн
10+ 80.9 грн
100+ 75.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG16N10S461ATMA1
Код товару: 155670
Infineon-IPG16N10S4_61-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d9e3eb0604 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N10S461ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipg16n10s4-61_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній