IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 37.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21.7nC, Technology: OptiMOS™ T2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 20A, On-state resistance: 8.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 54W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPG20N04S409ATMA1 за ціною від 57.97 грн до 117.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IPG20N04S409ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Gate charge: 21.7nC Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 54W |
товар відсутній |