IPG20N06S415ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 69.13 грн |
500+ | 52.99 грн |
1000+ | 37.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S415ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS -T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPG20N06S415ATMA2 за ціною від 37.87 грн до 114.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPG20N06S415ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPG20N06S415ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS -T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPG20N06S415ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFET |
на замовлення 5858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPG20N06S415ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPG20N06S415ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |