IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.83 грн |
| 10+ | 91.8 грн |
| 100+ | 73.1 грн |
| 500+ | 58.05 грн |
| 1000+ | 49.25 грн |
| 2000+ | 46.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 65W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG20N06S4L11AATMA1 за ціною від 48.2 грн до 124.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N06S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-CHANNEL_55/60V |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPG20N06S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPG20N06S4L11AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |