IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 28.65 грн |
| 10000+ | 26.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: TDSON, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Verlustleistung, p-Kanal: 33W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, Dauer-Drainstrom Id: 20A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 33W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPG20N06S4L26ATMA1 за ціною від 26.37 грн до 89.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N06S4L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 |
на замовлення 85438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPG20N06S4L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 33W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 17336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPG20N06S4L26ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: TDSON Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm Dauer-Drainstrom Id: 20A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 33W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPG20N06S4L26ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |