Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S436AATMA1
IPG20N10S436AATMA1

IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies

PdfFile_211447.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.68 грн
10000+ 40.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPG20N10S436AATMA1 за ціною від 32.03 грн до 118.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : INFINEON 2849763.pdf Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.41 грн
500+ 47.15 грн
1000+ 33.83 грн
2500+ 32.93 грн
5000+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : INFINEON 2849763.pdf Description: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.36 грн
10+ 80.88 грн
100+ 61.41 грн
500+ 47.15 грн
1000+ 33.83 грн
2500+ 32.93 грн
5000+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : Infineon Technologies PdfFile_211447.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.22 грн
10+ 87.42 грн
100+ 67.94 грн
500+ 54.05 грн
1000+ 44.03 грн
2000+ 41.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4_36A_DataSheet_v01_20_EN-3362386.pdf MOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.39 грн
10+ 90.6 грн
100+ 63.96 грн
500+ 54.88 грн
1000+ 42.13 грн
5000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4-36a-datasheet-v01_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipg20n10s4-36a-datasheet-v01_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipg20n10s4-36a-infineonzz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній