Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1

IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies

391ipg20n10s4l-22a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 60W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 60W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPG20N10S4L22AATMA1 за ціною від 47.89 грн до 144.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.93 грн
10000+ 50.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : INFINEON IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.89 грн
500+ 65.3 грн
1000+ 49.43 грн
5000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L_22A_DS_1_0-1568575.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.49 грн
10+ 87.52 грн
100+ 67.43 грн
250+ 66.43 грн
500+ 59.15 грн
1000+ 51.47 грн
2500+ 51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 21797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.21 грн
10+ 99.45 грн
100+ 79.11 грн
500+ 62.82 грн
1000+ 53.3 грн
2000+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : INFINEON IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Description: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.54 грн
10+ 108.59 грн
100+ 77.89 грн
500+ 65.3 грн
1000+ 49.43 грн
5000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 391ipg20n10s4l-22a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній