Продукція > INFINEON > IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.11 грн
500+ 49.24 грн
1000+ 35.82 грн
2500+ 34.66 грн
5000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPG20N10S4L35AATMA1 за ціною від 33.38 грн до 116.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+92.5 грн
139+ 84.24 грн
171+ 68.53 грн
200+ 61.86 грн
1000+ 50.71 грн
2000+ 45.44 грн
5000+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 127
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.85 грн
10+ 86.88 грн
100+ 64.11 грн
500+ 49.24 грн
1000+ 35.82 грн
2500+ 34.66 грн
5000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
10+ 86.51 грн
100+ 67.29 грн
500+ 53.52 грн
1000+ 43.6 грн
2000+ 41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_35A_DataSheet_v01_10_EN-3362791.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.83 грн
10+ 94.43 грн
100+ 63.96 грн
500+ 54.34 грн
1000+ 41.73 грн
2500+ 41.66 грн
5000+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній