Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI072N10N3G
IPI072N10N3G

IPI072N10N3G Infineon Technologies

INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
313+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 313
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI072N10N3G Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPI072N10N3G за ціною від 106.79 грн до 241.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI072N10N3 G IPI072N10N3 G Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en-522858.pdf MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.18 грн
10+ 213.35 грн
100+ 151.73 грн
500+ 129.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI072N10N3 G Виробник : Infineon Technologies INFNS16324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 202
IPI072N10N3 G IPI072N10N3 G Виробник : Infineon Technologies ipp072n10n3g_rev21.1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній