IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPI075N15N3GXKSA1 за ціною від 200.1 грн до 480.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 394000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPI075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |