IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI111N15N3GAKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 83A, Power dissipation: 214W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11.1mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI111N15N3GAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI111N15N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPI111N15N3GAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 214W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPI111N15N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 |
товар відсутній |
|
 |
IPI111N15N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPI111N15N3GAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 214W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |