IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.97 грн |
| 10+ | 148.58 грн |
| 100+ | 103.36 грн |
| 500+ | 84.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 53mΩ, Power dissipation: 68W, Polarisation: unipolar, Drain current: 21A, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI530N15N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 |
товар відсутній |
|
 |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, |
товар відсутній |
|
|
|
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |