IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 329.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPI60R099CPXKSA1 за ціною від 286.92 грн до 624.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO262-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO262-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPI60R099CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO262-3-1 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO262-3-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |