IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3, Case: PG-TO262-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ CP, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI60R250CPAKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 |
товар відсутній |
|
 |
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPI60R250CPAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товар відсутній |