IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
на замовлення 12959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3, Mounting: THT, Case: PG-TO262-3, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 22.4A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 195.3W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPI65R150CFDXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R150CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
товар відсутній
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en-773971.pdf MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3
товар відсутній
IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R150CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній