IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 336+ | 61.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11.4A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104.2W, Polarisation: unipolar, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI65R310CFDXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI65R310CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.2W Polarisation: unipolar Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPI65R310CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPI65R310CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104.2W Polarisation: unipolar Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |