IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.26 грн |
| 9+ | 96.63 грн |
| 23+ | 91.1 грн |
| 250+ | 88.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPI80N06S407AKSA2 за ціною від 51.56 грн до 165.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI80N06S407AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPI80N06S407AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPI80N06S407AKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 79W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 418 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPI80N06S407AKSA2 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 IPI80N06S407AKSA2 TIPI80N06S4-07 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPI80N06S407AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |