IPI90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPI90R500C3XKSA2 за ціною від 155.82 грн до 237.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI90R500C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|