Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN65R1K5CEATMA1
IPN65R1K5CEATMA1

IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

6820infineon-ipn65r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm.

Інші пропозиції IPN65R1K5CEATMA1 за ціною від 13.09 грн до 50.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.45 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN65R1K5CE_DS_v02_00_EN-1227070.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.28 грн
10+ 42.24 грн
100+ 25.11 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.8 грн
3000+ 16.14 грн
6000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.97 грн
18+ 41.95 грн
100+ 26.45 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній