IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.02 грн |
| 6000+ | 11.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm.
Інші пропозиції IPN70R2K0P7SATMA1 за ціною від 10.4 грн до 45.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V |
на замовлення 8598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |