IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 77.2 грн |
| 10+ | 70.18 грн |
| 25+ | 69.47 грн |
| 100+ | 59.18 грн |
| 250+ | 54.25 грн |
| 500+ | 47.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.4W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPN80R600P7ATMA1 за ціною від 40.39 грн до 143.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.5A Power dissipation: 7.4W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.5A Power dissipation: 7.4W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |