Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT004N03LATMA1
IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

ipt004n03l_rev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+155.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPT004N03LATMA1 за ціною від 161.13 грн до 400.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+161.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+162.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+167.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.15 грн
10+ 271.71 грн
25+ 267.87 грн
100+ 229.52 грн
250+ 210.32 грн
500+ 176.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+321.08 грн
40+ 292.61 грн
41+ 288.47 грн
100+ 247.18 грн
250+ 226.5 грн
500+ 189.83 грн
Мінімальне замовлення: 37
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+354.94 грн
37+ 319.83 грн
50+ 265.23 грн
100+ 254.81 грн
200+ 226.36 грн
500+ 197.25 грн
1000+ 193.91 грн
Мінімальне замовлення: 33
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN-1227267.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.86 грн
10+ 320.15 грн
25+ 268.38 грн
100+ 232.33 грн
250+ 230.33 грн
500+ 211.63 грн
1000+ 190.94 грн
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+374.46 грн
10+ 280.1 грн
100+ 237.41 грн
500+ 191.94 грн
1000+ 161.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.81 грн
10+ 323.93 грн
100+ 262.06 грн
500+ 218.61 грн
IPT004N03LATMA1
Код товару: 161359 		IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
товар відсутній
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній