IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPT007N06NATMA1 за ціною від 205.43 грн до 876.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
на замовлення 8559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 Код товару: 180783 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPT007N06NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 216nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |