IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2000 шт:

---

термін постачання 161-170 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	503.16 грн
10+	431.48 грн
25+	359.84 грн
100+	312.44 грн
250+	305.77 грн
500+	275.06 грн
1000+	244.35 грн

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPT013N08NM5LFATMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPT013N08NM5LFATMA1	Виробник : Infineon Technologies	N Channel Power Mosfet	товар відсутній	купити
	IPT013N08NM5LFATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V	товар відсутній	купити
	IPT013N08NM5LFATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V	товар відсутній	купити