IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 141.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 247A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 231W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPT019N08N5ATMA1 за ціною від 135.93 грн до 351.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT019N08N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 247A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 231W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT019N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT019N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT019N08N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 247A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 231W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT019N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R |
товар відсутній |