IPT029N08N5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 191.94 грн |
| 500+ | 127.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT029N08N5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPT029N08N5ATMA1 за ціною від 122.17 грн до 314.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 3314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W Case: PG-HSOF-8 Polarisation: unipolar Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tape On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 167W Gate charge: 70nC Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER TRANSISTOR 80V OPTIMOS-5 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER TRANSISTOR 80V OPTIMOS-5 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPT029N08N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W Case: PG-HSOF-8 Polarisation: unipolar Drain current: 120A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tape On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 167W Gate charge: 70nC Technology: OptiMOS™ 5 |
товар відсутній |