Продукція > INFINEON > IPT044N15N5ATMA1
IPT044N15N5ATMA1

IPT044N15N5ATMA1 INFINEON

3668059.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+474.07 грн
50+ 402.65 грн
100+ 337.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT044N15N5ATMA1 INFINEON

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPT044N15N5ATMA1 за ціною від 255.7 грн до 571.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT044N15N5_DataSheet_v02_02_EN-3362749.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546 грн
10+ 485.99 грн
100+ 350.5 грн
500+ 305.1 грн
1000+ 265.71 грн
2000+ 255.7 грн
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+571.43 грн
5+ 522.75 грн
10+ 474.07 грн
50+ 402.65 грн
100+ 337.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-v02_02-en.pdf N Channel Power Mosfet
товар відсутній
IPT044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf SP005537524
товар відсутній
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
товар відсутній
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
товар відсутній