Продукція > INFINEON > IPU60R2K1CEAKMA1
IPU60R2K1CEAKMA1

IPU60R2K1CEAKMA1 INFINEON

2255686.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.67 грн
22+ 35.35 грн
100+ 27.11 грн
500+ 15.93 грн
1500+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU60R2K1CEAKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPU60R2K1CEAKMA1 за ціною від 11.75 грн до 47.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU60R2K1CEAKMA1 IPU60R2K1CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU60R2K1CE_DS_v02_02_EN-1732022.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.82 грн
10+ 39.62 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 15.42 грн
1500+ 13.95 грн
10500+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPU60R2K1CEAKMA1 IPU60R2K1CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPU60R2K1CEAKMA1 IPU60R2K1CEAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU60R2K1CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e409461eac Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній