Продукція > INFINEON > IPU80R1K4P7AKMA1
IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON

INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.38 грн
12+ 64.41 грн
100+ 46.28 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 29.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції IPU80R1K4P7AKMA1 за ціною від 32.55 грн до 95.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.27 грн
10+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU80R1K4P7_DataSheet_v02_02_EN-1731981.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.8 грн
10+ 85.22 грн
100+ 58.62 грн
500+ 48.47 грн
1000+ 38.19 грн
1500+ 34.98 грн
4500+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPU80R1K4P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.01 грн
29+ 34.47 грн
78+ 32.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies 2352901015218700infineon-ipu80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46255dd933d0155e8.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній