IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.27 грн |
| 75+ | 41.08 грн |
| 150+ | 29.82 грн |
| 525+ | 23.38 грн |
| 1050+ | 19.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPU80R4K5P7AKMA1 за ціною від 27.54 грн до 106.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU80R4K5P7AKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPU80R4K5P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IPU80R4K5P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPU80R4K5P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
товар відсутній |