Продукція > INFINEON > IPU95R1K2P7AKMA1
IPU95R1K2P7AKMA1

IPU95R1K2P7AKMA1 INFINEON

Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.36 грн
11+ 71.3 грн
100+ 53.1 грн
500+ 41.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU95R1K2P7AKMA1 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPU95R1K2P7AKMA1 за ціною від 48.71 грн до 116.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.38 грн
10+ 78.72 грн
100+ 61.24 грн
500+ 48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU95R1K2P7_DataSheet_v02_01_EN-3165655.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.05 грн
10+ 99.81 грн
100+ 72.1 грн
500+ 61.02 грн
1000+ 54.01 грн
1500+ 52.87 грн
4500+ 52.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPU95R1K2P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
товар відсутній
IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu95r1k2p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній