Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU95R2K0P7AKMA1
IPU95R2K0P7AKMA1

IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPU95R2K0P7.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2.4A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Technology: CoolMOS™ P7
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: tube
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 950V
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.93 грн
10+ 34.77 грн
24+ 32.69 грн
25+ 31.99 грн
66+ 30.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPU95R2K0P7AKMA1 за ціною від 36.72 грн до 105.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPU95R2K0P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2.4A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Technology: CoolMOS™ P7
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: tube
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 950V
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.11 грн
6+ 43.33 грн
24+ 39.22 грн
25+ 38.39 грн
66+ 36.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPU95R2K0P7_DataSheet_v02_01_EN-3165671.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.93 грн
10+ 93.67 грн
100+ 64.02 грн
500+ 52.74 грн
1000+ 41.12 грн
1500+ 38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPU95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c32990d57bf Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
товар відсутній