IPU95R750P7AKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.82 грн |
| 10+ | 110.09 грн |
| 25+ | 93.62 грн |
| 100+ | 70.93 грн |
| 500+ | 48.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPU95R750P7AKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPU95R750P7AKMA1 за ціною від 97.47 грн до 192.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 23nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: IPAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPU95R750P7AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 23nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: IPAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |