IPW60R037CSFDXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 599.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW60R037CSFDXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CSFD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPW60R037CSFDXKSA1 за ціною від 445.05 грн до 819.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CSFD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 240 шт: термін постачання 834-843 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 245W Case: TO247-3 On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IPW60R037CSFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 245W Case: TO247-3 On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |