IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPZ60R125P6FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R125P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPZ60R125P6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V |
товар відсутній |