Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1010ESTRLPBF
IRF1010ESTRLPBF

IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies

irf1010es.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

Інші пропозиції IRF1010ESTRLPBF за ціною від 41.28 грн до 121.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.67 грн
2400+ 46.82 грн
4800+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+51.22 грн
2400+ 50.3 грн
4800+ 49.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+54.63 грн
2400+ 51.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.83 грн
2400+ 55.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.93 грн
11+ 56.12 грн
25+ 55.57 грн
100+ 53.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+60.89 грн
1600+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.69 грн
7+ 55.73 грн
19+ 43.35 грн
51+ 41.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.02 грн
5+ 69.45 грн
19+ 52.02 грн
51+ 49.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.8 грн
10+ 86.59 грн
100+ 61.36 грн
250+ 61.03 грн
500+ 60.97 грн
800+ 46.63 грн
2400+ 43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.32 грн
10+ 87.1 грн
100+ 69.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+121.52 грн
10+ 92.62 грн
100+ 70.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)