IRF1010NSTRRPBF

IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies


infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF1010NSTRRPBF за ціною від 67.98 грн до 67.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1010NSTRRPBF IRF1010NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1010NSTRRPBF IRF1010NSTRRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN-1227401.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRF1010NSTRRPBF IRF1010NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1010NSTRRPBF IRF1010NSTRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товар відсутній