Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+32.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm.

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 37.44 грн до 114.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+43.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+55 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+57.03 грн
1600+ 44.74 грн
2400+ 42.11 грн
5600+ 37.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.98 грн
7+ 53.53 грн
20+ 40.66 грн
54+ 38.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.83 грн
500+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 35935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+73.91 грн
160+ 73.13 грн
200+ 58.79 грн
207+ 54.54 грн
500+ 39.09 грн
1000+ 37.44 грн
Мінімальне замовлення: 159
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.58 грн
5+ 66.71 грн
20+ 48.8 грн
54+ 46.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+93.85 грн
129+ 90.98 грн
158+ 74.22 грн
250+ 68.78 грн
500+ 46.28 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+102.32 грн
10+ 84.45 грн
25+ 83.05 грн
100+ 64.84 грн
250+ 57.7 грн
500+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.75 грн
10+ 83.32 грн
100+ 64.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 6716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.74 грн
10+ 87.35 грн
100+ 60.97 грн
500+ 56.61 грн
800+ 41.28 грн
2400+ 39.96 грн
4800+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+114.11 грн
10+ 87.43 грн
100+ 64.83 грн
500+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 7