Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF

IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.47 грн
2400+ 59.59 грн
4800+ 59 грн
9600+ 56.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 52.6 грн до 140.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.51 грн
2400+ 64.18 грн
4800+ 63.54 грн
9600+ 60.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+75.03 грн
1600+ 61.3 грн
2400+ 58.24 грн
5600+ 52.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.06 грн
250+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+86.12 грн
10+ 78.38 грн
25+ 77.63 грн
100+ 68.58 грн
250+ 59.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+87.28 грн
139+ 84.44 грн
151+ 77.81 грн
200+ 72.97 грн
500+ 67.39 грн
1600+ 60.68 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+92.74 грн
139+ 84.4 грн
140+ 83.6 грн
153+ 73.85 грн
250+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 127
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.61 грн
10+ 107.33 грн
100+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.04 грн
10+ 103.73 грн
50+ 93.36 грн
100+ 77.06 грн
250+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN-3363038.pdf MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.25 грн
10+ 112.42 грн
100+ 83.22 грн
250+ 80.58 грн
500+ 78.6 грн
800+ 59.25 грн
2400+ 54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній